สินค้า

DS200ITXDG1A IGBT บอร์ด Snubber MK V General Electric

DS200ITXDG1A เป็นส่วนประกอบของบอร์ดที่ GE ประดิษฐ์เพื่อใช้ภายในระบบ Speedtronic Mark VMKV เป็นหนึ่งในระบบ Speedtronic ที่พัฒนาขึ้นในภายหลังของ GE สำหรับการจัดการกังหันก๊าซและไอน้ำประกอบด้วยสถาปัตยกรรม TMR ที่ทนทานต่อข้อผิดพลาด พร้อมการโหวตสองในสามสำหรับการควบคุมที่สำคัญและพารามิเตอร์การป้องกัน

MKV มีความสามารถในการตั้งค่าในรูปแบบ Simplex สำหรับระบบที่ซับซ้อนน้อยกว่า และยังคงให้การควบคุมที่ทนทานต่อข้อผิดพลาดผ่านการตั้งค่าซอฟต์แวร์ด้วยการออกแบบนี้สามารถซื้อบอร์ด MKV ได้จาก AX Control ในรูปแบบอุปกรณ์ที่ได้รับการทดสอบและปรับสภาพใหม่แล้ว

DS200ITXDG1A เป็นบอร์ดขนาดเล็กที่ทำหน้าที่เป็นบอร์ด IGBT SnubberSnubber ได้รับการออกแบบให้เป็นวงจรดูดซับพลังงานที่สามารถระงับแรงดันไฟฟ้าที่เกิดขึ้นเมื่อสวิตช์เปิดสวิตช์อาจเป็นแบบไฟฟ้าหรือแบบกลไกนี่คือบอร์ดเสริมที่เชื่อมต่อกับเมนบอร์ดขนาดใหญ่

DS200ITXDG1A ได้รับการออกแบบให้มีรูเจาะที่แต่ละมุมและมีรอยเยื้องเล็กๆ ตามขอบบอร์ดมีฮีทซิงค์หลายตัวเพื่อให้สามารถระบายความร้อนที่สะสมไว้ได้อย่างรวดเร็วประกอบด้วยขั้วต่อแบบแทงหลายตัว ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก ไดโอด ขั้วต่อพินแนวตั้ง และตัวเก็บประจุโพลีโพรพีลีน Wima FKP 1 จำนวน 8 ตัว

ตัวเก็บประจุเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับงานที่มีพัลส์สูงและสามารถซ่อมแซมตัวเองได้มีปัจจัยการกระจายต่ำมากและการเปลี่ยนแปลงความจุเชิงลบเทียบกับอุณหภูมิส่วนประกอบเหล่านี้วางอยู่บนกระดานเป็นสองบรรทัดจากสี่เส้นที่ด้านตรงข้ามของกระดาน

DS200ITXDG1A เป็นส่วนประกอบบอร์ดที่พัฒนาโดย GE เพื่อใช้ภายในระบบ Speedtronic Mark V และเป็นบอร์ดเสริมที่เชื่อมต่อกับเมนบอร์ดขนาดใหญ่MKV เป็นหนึ่งในระบบ Speedtronic ที่พัฒนาขึ้นในภายหลังของ GE สำหรับการจัดการกังหันก๊าซและไอน้ำบอร์ดนี้มาพร้อมกับสถาปัตยกรรม TMR ที่ทนทานต่อข้อผิดพลาด พร้อมการโหวตสองในสามสำหรับการควบคุมที่สำคัญและพารามิเตอร์การป้องกันนอกจากนี้ยังมีความสามารถในการตั้งค่าในรูปแบบ Simplex สำหรับระบบที่ซับซ้อนน้อยกว่า และยังคงให้การควบคุมที่ทนทานต่อข้อผิดพลาดผ่านการตั้งค่าซอฟต์แวร์ด้วยการออกแบบนี้บอร์ดนี้ทำหน้าที่เป็นบอร์ด IGBT Snubber เป็นหลัก และได้รับการออกแบบให้เป็นวงจรดูดซับพลังงานที่สามารถระงับแรงดันไฟกระชากที่เกิดขึ้นเมื่อสวิตช์เปิดขึ้น ไม่ว่าสวิตช์นั้นจะเป็นสวิตช์ทางไฟฟ้าหรือทางกลก็ตามได้รับการออกแบบให้มีรูเจาะที่แต่ละมุมและมีรอยเยื้องเล็กๆ ตามขอบ รวมถึงฮีทซิงค์หลายตัวเพื่อให้สามารถระบายความร้อนที่สะสมไว้ได้อย่างรวดเร็ว

ประกอบด้วยตัวเชื่อมต่อแบบแทงออนหลายตัว ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก ไดโอด ตัวเชื่อมต่อแบบพินแนวตั้ง และตัวเก็บประจุโพลีโพรพีลีน Wima FKP 1 แปดตัวตัวเก็บประจุได้รับการออกแบบมาเพื่อหน้าที่พัลส์สูง ซ่อมแซมตัวเองได้ และมีปัจจัยการกระจายต่ำมาก รวมถึงการเปลี่ยนแปลงความจุประจุลบเทียบกับอุณหภูมิ